소자 개발 시 ESD 소자의 불량 분석을 어떻게 진행하는지 설명해 주세요.

ESD 소자 불량 분석에서 제가 짜는 절차의 핵심은, 인체 모델과 충전 소자 모델 같은 테스트 모드별로 불량 메커니즘이 달라 구분 진단하는 일입니다. 두 모드는 전류 파형과 손상 양상이 달라, 어느 모드에서 깨졌는지를 가르지 않으면 엉뚱한 곳을 들여다보기 때문입니다. 그래서 저는 전기 측정에서 I-V 커브 이상이 저항성 단락인지 접합 열화인지를 먼저 구분하고, TLP 측정으로 소자가 ESD 전류를 어느 레벨까지 버텼는지와 클램핑 전압을 확인합니다. 그다음 손상 위치를 좁혀 단면 SEM·TEM으로 게이트 산화막이나 메탈 배선의 물리적 손상을 검증합니다. 막힌 자리도 짚습니다. 전기 측정만으로는 손상 위치를 못 좁혀, 레이아웃 위 전류 집중 부위를 시뮬레이션으로 사전 예측해 물리 분석 위치를 줄여야 했습니다. 다만 저는 소자 설계 수업과 인턴 분석 보조 수준이라, 기생 성분이 클램핑 성능에 미치는 영향을 SPICE로 분석해 설계 단계에서 불량을 예방해 본 경험은 없습니다. 그래서 모드 구분 절차를 토대로, 그 분석 역량을 더 키우려 합니다.