이 질문 뒤에 면접관이 확인하려는 것은 따로 있습니다.
MOSFET 공정 안의 Etch 실무는 경험해본 적이 없습니다. 학부 반도체공학 수업에서 식각 단원과 공장 견학 시 사수의 설명이 전부입니다.
그래도 Etch 문제를 만나면 따를 흐름은 세 단계로 봅니다. 첫째, 원하는 프로파일 vs 실제 프로파일 차이를 수치로 정리. 둘째, 플라즈마 파워·압력·가스 비율·시간 중 최근 변경 이력부터 점검. 셋째, 마스크·하부막 영향까지 가설을 넓히기.
수업 과제에서 식각 단면 사진을 보고 가스 비율부터 의심했다가 사실은 시간이 문제였던 실패가 있었고, 그 일이 변경 이력부터 본다는 자세를 만들었습니다. 실무에 들어가면 사수의 변경 로그 양식부터 익히겠습니다.
Etch 문제를 마주했을 때 따라야 한다고 배운 흐름은 네 단계입니다.
첫째, 현상의 수치화. Critical Dimension·프로파일 각도·잔여막 두께 같은 측정 가능한 양으로 다시 쓰기. 둘째, 최근 변경 이력 비교. 언제부터 달라졌는지가 원인 후보를 가장 빨리 좁힙니다. 셋째, 변수 통제 실험. 한 번에 한 변수만 흔들기. 넷째, 결과의 사내 공유와 표 보존.
수업 실험에서 변수 두 개를 동시에 흔들어 두 주를 잃은 실패가 있었고, 그 일이 한 번에 하나라는 자세를 만들었습니다. 실무에서도 변경 로그·검증 표를 사수의 양식으로 익히는 자리부터 시작하겠습니다.
Etch 문제는 Etch만의 문제가 아닐 때가 많다는 걸 견학에서 봤습니다.
공장 견학에서 식각 후 프로파일 이상을 다루신 사수가 그 자리에서 가장 먼저 본 자료가 박막 증착 직전의 두께 분포였습니다. 증착이 균일하지 않으면 식각도 균일하지 않다는 시각이었습니다. 학부에서 공정 한 단계만 보던 제 머리가 그때 앞뒤가 같이 묶인다는 자리로 바뀌었습니다.
수업에서 식각 결과만 보고 원인을 찾으려다 답을 못 낸 실패가 있었고, 그 뒤로 앞공정·뒤공정의 데이터를 같이 보는 자세가 생겼습니다. 실무에 들어가면 공정 흐름표를 손에 두고 분석에 들어가, 앞 단계의 두께 분포·뒤 단계의 세정 조건까지 한 화면에 띄우는 자세부터 익히겠습니다.
답변에서 흔히 빠지는 것들 — 빠져 있으면 꼬리질문이 깊어집니다.
이 질문에 이어 SK keyfoundry 반도체 공정기술 면접관이 던질 가능성이 높은 후속 질문.
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