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GAA 구조 이해→S/D 모듈 기술 포인트→통합 접근→한계 결
2nm GAA 소스·드레인 모듈 통합은 GAA 구조에서 나노시트 사이 S/D 에피 성장과 계면 제어가 핵심 기술 도전입니다. GAA 구조는 채널이 게이트에 사방으로 감싸여 있어 Short Channel Effect를 억제하지만, S/D 영역의 에피 성장 공간이 좁아 에피 품질 관리가 어렵습니다.
에피 성장 균일성은 나노시트 사이 공간에서 스트레스드 실리콘 또는 SiGe 에피가 원하는 두께와 조성으로 형성됐는지를 TEM·EDX 분석으로 확인합니다. 계면 저항 최소화는 S/D 콘택 형성 시 금속과 에피 사이 저항을 줄이기 위해 어닐링 조건과 실리사이드 공정을 최적화하는 과정입니다.
나노시트 간 간격이 좁을수록 스페이서 제거와 에피 성장 공간 확보가 어렵고, 공정 마진이 줄어드는 도전이 있습니다. 학습 수준에서의 이해로, 실제 2nm 공정 경험은 없지만 공정 원리 이해를 기반으로 현장에서 빠르게 역량을 쌓겠습니다. 구조 이해와 계면 품질 관리가 GAA S/D 모듈 통합의 핵심이라는 결론을 갖고 있습니다.