삼성전자에 지원하신 이유는 무엇인가요?

저는 학부 4학년 때 반도체 소자 설계 캡스톤 프로젝트를 진행하면서, 공정 시뮬레이션 결과와 실제 측정값 사이에서 자꾸 오차가 났습니다. 처음에는 TCAD 모델링 파라미터 문제라고만 생각했는데, 나중에 보니 게이트 산화막 두께 제어 문제였습니다. 그 과정에서 "왜 이런 오차가 나는지"를 끝까지 파고드는 습관이 생겼습니다.

그 경험이 지원으로 이어진 이유는, 이 회사의 공정 기술 특허 자료를 찾아보다가 산화막 제어 관련 논문이 업계에서 인용 횟수가 압도적으로 많은 걸 확인했기 때문입니다. 졸업 논문 주제를 고를 때도 그 계보를 따라 게이트 유전체 연구를 선택했습니다. 솔직히 처음에는 스펙 점수부터 생각했는데, 논문을 읽을수록 "이 방향을 계속 파고 싶다"는 쪽으로 마음이 바뀌었습니다.

연구소에 들어가면 처음에는 선배 연구원 옆에서 실험 보조부터 시작하겠지만, 제가 캡스톤에서 겪은 공정 오차 분석 경험을 실제 양산 데이터와 연결해 보는 것이 당장의 목표입니다.