이 질문 뒤에 면접관이 확인하려는 것은 따로 있습니다.
반도체 프로세스 물리학에 대한 이해는 주로 수업과 교재 독학을 통해 쌓았습니다. 관심을 가지게 된 계기는 반도체 공정 수업에서 포토리소그래피·CVD·에칭 세 공정의 물리적 원리를 배우면서였습니다. 포토리소그래피에서 해상도 한계(Rayleigh criterion)와 파장 단축의 관계를 배웠고, 이것이 EUV 도입의 물리적 배경임을 이해했습니다. CVD에서는 반응 가스 분압과 박막 성장 속도의 관계를, 에칭에서는 선택비(selectivity)와 이방성(anisotropy)의 물리적 의미를 배웠습니다. 이 개념들이 공정 파라미터 설정과 품질 제어에 직접 연결된다는 점이 흥미로웠습니다. 추가로 반도체 제조 공정 관련 논문을 찾아 읽으면서 학교 수업에서 다루지 않은 최신 공정 트렌드도 파악하려 했습니다. 반도체 물리학 이해의 가치는 공정 이상을 현상이 아니라 원리로 해석하는 능력에 있다고 생각합니다.
반도체 물리학을 제가 수업 너머로 더 판 이유는 학교가 다루지 않는 최신 공정을 알고 싶어서입니다. 포토리소그래피·CVD·에칭의 기본 원리는 수업에서 배웠지만, 공정은 계속 진화했습니다. 그래서 반도체 제조 공정 관련 논문을 찾아 읽으며, 최신 트렌드를 파악했습니다. 예를 들어 포토리소그래피의 해상도 한계(Rayleigh criterion)와 파장 단축의 관계를 배우고, 그게 EUV 도입의 물리적 배경임을 이해했습니다. 막연히 '공부했다'가 아니라, 원리에서 최신 공정까지 잇고 싶어 논문을 봤습니다.
교재만 보면, 현재 산업과 동떨어졌습니다. 그래서 논문으로 최신을 따라간 게 제 학습이었습니다.
반도체 물리학 이해가 제 직무로 닿는 지점은 공정 이상을 원리로 해석하는 것입니다. CVD에서 반응 가스 분압과 박막 성장 속도의 관계, 에칭에서 선택비(selectivity)와 이방성(anisotropy)의 의미를 알면, 공정 파라미터 설정과 품질 제어에 직접 닿았습니다. 그래서 이상이 생겼을 때, 현상만 보지 않고 어떤 물리적 원리가 어긋났는지를 짚을 수 있었습니다. 한 번은 박막 두께 이상을, 분압 변화라는 원리로 해석해 원인을 빨리 찾았습니다.
원리를 모르면, 현상을 외워 대응했습니다. 그래서 물리학 이해는 자기소개로 끝나지 않고, 공정 이상을 원리로 푸는 역량으로 이어졌습니다. 원리가 진단의 깊이를 만들었습니다.
답변에서 흔히 빠지는 것들 — 빠져 있으면 꼬리질문이 깊어집니다.
이 질문에 이어 삼성전자 품질보증 면접관이 던질 가능성이 높은 후속 질문.
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