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LLE 주변 패턴 영향 분석과 레이아웃 검토로 특성 편차 최소화 결
LLE(Local Layout Effect)는 소자 주변의 레이아웃 패턴이 소자 특성에 영향을 미치는 현상으로, 공정이 미세화될수록 영향이 커집니다. 대표적으로 STI 응력(STI stress)과 웰 근접 효과(well proximity effect)가 있고, 동일한 트랜지스터라도 주변 구조에 따라 임계 전압이나 전류 특성이 달라집니다.
STI 응력 효과는 소자와 STI 경계의 거리에 민감합니다. PMOS는 인장 응력이, NMOS는 압축 응력이 유리하기 때문에 레이아웃에서 채널 방향과 STI 간격 선택이 소자 성능에 직접 영향을 줍니다. 아날로그 회로에서는 매칭이 중요한 소자 쌍을 같은 환경에 배치하는 방식으로 편차를 줄입니다.
LLE를 고려한 레이아웃 검토에서 배운 것은 SPICE 시뮬레이션에 LLE 보정 모델이 포함돼 있는지가 중요하다는 점입니다. LLE 효과가 모델에 반영되지 않으면 시뮬레이션 결과와 측정 결과가 어긋나고, 설계 마진 판단이 부정확해집니다.