이 질문 뒤에 면접관이 확인하려는 것은 따로 있습니다.
반도체 공정 수업에서 웨이퍼 가공 단계를 처음 배울 때 순서만 외웠더니 왜 그 순서인지 이해가 안 됐습니다. 각 단계가 이전 단계의 결과를 입력으로 받고 다음 단계를 위한 조건을 만든다는 인과 구조를 파악하고 나서야 흐름이 잡혔습니다. 산화막 형성은 절연과 마스크 역할, 포토리소그래피는 패턴 정의, 에칭은 패턴 전사, 이온 임플란트는 전기 특성 부여라는 각 단계의 목적이 연결됩니다. 실습에서 공정 조건 변화가 소자 특성에 어떻게 이어지는지 시뮬레이션으로 확인하면서 이론이 실감됐습니다. 웨이퍼맵 불량 패턴을 보면 어느 단계에서 문제가 생겼는지 역추론하는 것도 이 인과 구조를 알아야 가능합니다. 지금도 새 공정을 배울 때 단계 목적부터 파악합니다.
웨이퍼 가공 기본 원리에서 본인 사례로 닫은 건 인턴 때 실제 공정 흐름을 따라가면서 수업에서 배운 원리가 연결된 경험이었습니다. 수업에서 패터닝 단계를 배울 때 리소그래피와 식각이 왜 순서대로 이뤄지는지 이론으로는 알았는데, 실제 공정 라인에서 각 단계 결과물을 보니 이해가 달라졌습니다.
리소그래피 후 PR 패턴이 생긴 상태에서 식각을 하면 노출된 부분만 제거된다는 게 이론 설명보다 직관적으로 이해됐습니다. 공정 원리는 결과물을 보면서 이해할 때 이론이 연결되는 경우가 있다는 결이 생겼습니다.
이후에는 공정을 배울 때 어떤 결과물이 만들어지는지를 먼저 시각화하는 방식을 씁니다.
웨이퍼 가공 기본 원리에서 한계 결로 이어진 건 각 단계의 원리는 이해했는데 공정 간 상호작용이 복잡하다는 걸 의식한 경험이었습니다. 수업에서 개별 공정 단계를 배울 때는 이해가 됐는데, 실제 공정에서는 한 단계의 결과가 다음 단계의 조건에 영향을 준다는 걸 인턴 때 관찰했습니다.
산화 공정 후 표면 상태가 다음 증착 단계의 접착성에 영향을 준다는 걸 봤는데, 이런 단계 간 의존성은 개별 단계 이론만으로는 파악하기 어렵습니다. 단계를 아는 것과 단계들이 서로 어떻게 영향을 주는지를 아는 것은 다른 수준의 이해라는 결이 생겼습니다.
공정 전체의 흐름을 이해하려면 개별 단계 이상의 경험이 필요하다는 걸 인식하고 있습니다.
답변에서 흔히 빠지는 것들 — 빠져 있으면 꼬리질문이 깊어집니다.
이 질문에 이어 삼성전자 반도체 공정기술 면접관이 던질 가능성이 높은 후속 질문.
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