화학식각·건식식각 조건 차이 이해하며 적층 공정 품질 관리
약 70초
학부 반도체 공정 수업, 식각 방식별 특성 비교 실습
학부 반도체 공정 수업에서 화학 식각과 드라이 식각의 특성 차이를 배우면서, 적층 공정에서 왜 두 방식을 단계별로 다르게 쓰는지를 이해했습니다. 화학 식각은 등방성(isotropic)으로 진행되기 때문에 측면 식각이 생겨 패턴 폭이 넓어질 수 있습니다.
드라이(RIE) 식각은 이방성으로 수직 프로파일을 유지할 수 있지만, 플라즈마 손상이 문제가 될 수 있다는 것도 배웠습니다. 레이어링 공정에서 층간 선택비(Selectivity)가 낮으면 아래 층을 침식하는 문제가 생기는 것도 케이스로 확인했습니다. 각 단계에서 어느 물질을 얼마나 남겨야 하는지를 명확히 정해두지 않으면 다음 단계에서 문제가 누적된다는 걸 배웠습니다. 이후 저는 식각 공정을 볼 때 방식별 적용 이유를 먼저 파악하는 습관이 생겼습니다.
식각 결과는 레시피뿐 아니라 층 구조 이해에서 결정된다는 걸 그때 알았습니다.