이 질문 뒤에 면접관이 확인하려는 것은 따로 있습니다.
인턴 기간에 300mm 드라이 에칭 라인에서 공정 보조 업무를 맡았습니다. 주로 OES(광학 방출 분광기) 데이터를 확인하며 엔드포인트 감지 신호를 로깅하는 일이었습니다. 한 번은 에칭 균일도 편차가 규격 대비 1.5배로 벌어지는 문제가 생겼고, 담당 엔지니어와 함께 원인을 분석했습니다.
가스 비율 조정 실험을 3회 반복해 최적 조건을 찾았고, 각 조건 변화가 균일도에 미치는 영향을 직접 데이터로 확인했습니다. 에칭은 작은 변수 하나가 프로파일 전체를 바꾼다는 걸 그때 실감했습니다. 에칭 공정의 레시피 파라미터가 그렇게 많은 이유를 몸으로 이해한 경험이었습니다. 이론으로 알던 것과 장비 앞에서 직접 보는 건 완전히 다른 이해를 준다는 걸 배웠고, 그 경험이 에칭 공정에 더 관심을 갖게 된 계기가 됐습니다.
300mm 드라이 에칭 공정에서 공정 변수 하나를 바꾸면 다른 결과 지표에도 영향이 간다는 걸 경험했습니다. 인턴 기간에 균일도 문제를 개선하기 위해 가스 유량을 조정했는데, 균일도는 나아졌지만 식각 프로파일이 기울어지는 새로운 이슈가 생겼습니다. 식각률·선택비·균일도·프로파일을 동시에 만족하는 조건을 찾는 것이 어려웠고, 변수 하나를 잡으면 다른 변수가 흔들리는 구조를 실감했습니다. 담당 엔지니어가 RF 전력과 가스 유량을 함께 조정하는 방식을 보여줬는데, 단일 변수 조정이 아니라 여러 파라미터를 묶어서 보는 것이 에칭 레시피 최적화의 핵심이라는 걸 그때 배웠습니다.
300mm 에칭 인턴 경험에서 레시피가 왜 그렇게 많은 파라미터를 갖는지를 이해하게 됐습니다. 처음엔 가스 비율·압력·온도·RF 전력이 각각 독립적으로 역할을 한다고 생각했는데, 실제로는 파라미터들이 서로 상호작용하면서 결과를 결정하는 구조였습니다.
RF 전력이 높아지면 플라즈마 밀도가 올라가면서 선택비가 떨어지는 방향이 생기고, 그것을 챔버 압력으로 보정하는 식의 조합이 존재했습니다. 미세화가 진행될수록 허용 범위가 좁아지기 때문에 이런 상호작용을 체계적으로 검증하는 DOE가 왜 중요한지를 현장에서 이해했습니다.
이론으로 알던 것과 장비 앞에서 보는 것은 완전히 다른 깊이라는 걸 배웠습니다.
답변에서 흔히 빠지는 것들 — 빠져 있으면 꼬리질문이 깊어집니다.
이 질문에 이어 삼성전자 반도체 공정기술 면접관이 던질 가능성이 높은 후속 질문.
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