이 질문 뒤에 면접관이 확인하려는 것은 따로 있습니다.
기본 화학 지식이 공정 엔지니어링에 연결된다는 걸 실감한 건 산화 공정 수업에서 산화막 성장 속도와 온도·산소 분압의 관계를 배울 때였습니다. Deal-Grove 모델이 화학 반응 메커니즘에서 나온 것임을 이해하면서, 단순 공식 암기가 아닌 파라미터를 바꿀 때 결과가 왜 달라지는지 예측하는 방식으로 접근할 수 있게 됐습니다.
식각 공정에서는 에천트와 박막 사이의 선택비가 화학 반응 속도 차이에서 나온다는 것도 같이 배웠습니다. 산화 환원 반응과 결합 에너지 개념이 플라즈마 식각 조건 설계와 연결된다는 것을 실험 보고서를 작성하면서 처음 연결했습니다. 화학 배경 없이 공식만 쓰면 이상 현상이 생겼을 때 원인을 추론하기 어렵고 파라미터 조정 방향도 잡기 힘들다고 봅니다.
이 관점이 공정 파라미터를 실험 설계에 연결하는 기본 틀이 됐습니다.
화학 지식과 공정 엔지니어링에서 한계와 막힘이 있었던 건 ALD 공정의 화학 반응을 이해하려 했을 때 기초 화학 지식이 부족했던 경험이었습니다. ALD가 표면 포화 반응을 이용한다는 원리는 이해했는데, 어떤 전구체가 어떤 표면에서 반응하는지, 부반응이 왜 생기는지는 유기화학 배경 없이는 직관적으로 이해하기 어려웠습니다.
공정 엔지니어링을 이해하려면 개별 공정마다 연관된 화학 분야가 다르다는 걸 그 경험에서 배웠습니다. 산화·도핑은 고체 화학, 식각은 반응 화학, CVD/ALD는 표면 화학이 기반이 되는 구조였습니다.
화학 기초가 약한 영역은 공정 원리를 직관으로 이해하는 데 한계가 생긴다는 결이 남아 있습니다. 부족한 부분은 의식하면서 채워가는 방향입니다.
화학 지식을 공정에 연결하면서 다음 결로 이어진 건 원리를 이해하면 파라미터 변화 방향을 예측할 수 있다는 경험이었습니다. 산화막 성장 속도가 왜 고온에서 빠른지를 확산 제한 성장 모델로 이해하고 나서, 온도와 시간을 어떻게 조정하면 두께가 어떻게 달라지는지를 방향으로 예측할 수 있게 됐습니다.
이전에는 파라미터를 바꾸고 결과를 보는 방식이었는데, 원리를 이해하고 나서는 어떤 방향으로 바꾸면 결과가 어떻게 달라질지를 먼저 추론하는 것이 가능해졌습니다. 실험 효율이 달라지는 경험이었습니다.
화학 원리를 아는 것이 공정 파라미터를 다루는 방식을 바꾼다는 결이 남아 있습니다. 다음 단계는 아직 원리가 연결 안 된 공정 영역을 의식하면서 채워가는 것입니다.
답변에서 흔히 빠지는 것들 — 빠져 있으면 꼬리질문이 깊어집니다.
이 질문에 이어 삼성전자 반도체 공정기술 면접관이 던질 가능성이 높은 후속 질문.
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