이 질문 뒤에 면접관이 확인하려는 것은 따로 있습니다.
졸업 연구에서 박막 소자의 특정 패턴 구간에서만 접촉 저항이 이상하게 높아지는 결함을 조사했습니다. 처음에는 측정 오류일 거라 생각했는데 같은 조건에서 재현성이 90% 이상이어서 공정 문제로 판단했습니다. TEM 단면과 EDX 분석으로 접촉 계면을 확인했더니 특정 원소가 계면에 편석된 것을 발견했습니다. 편석 원소의 출처를 추적하니 스퍼터링 타깃 오염이 원인이었습니다. 타깃을 교체한 뒤 재현성 실험으로 편석이 사라지고 접촉 저항이 정상화됐음을 확인했습니다. 지도교수님이 결함 재현에서 원인 규명까지의 논리가 명확하다는 평가를 주셨습니다. 지금도 결함 연구는 재현 확인과 계면 분석이 먼저입니다.
혁신적 결함 문제에서 본인 사례로 닫은 건 처음 가정과 다른 원인을 찾는 과정에서 방향을 바꾼 경험이었습니다. 졸업 연구에서 접촉 저항 이상이 특정 패턴 구간에서만 생긴다는 걸 발견했는데, 처음에는 계면 문제라고 가정했습니다.
계면 분석 결과 이상이 없었고 원인 가정을 바꿔야 했습니다. 패턴 구간의 기하학적 구조에 집중하니 전류 경로가 좁아지는 구조가 있다는 걸 발견했습니다. 원인 가정이 틀렸을 때 다른 각도로 다시 접근하는 것이 해결의 경로였습니다.
결함 분석에서 처음 가정에 고착되는 것이 가장 큰 장애물이라는 결이 그 경험에서 생겼습니다. 데이터가 가정을 지지하지 않으면 가정을 바꾸는 것이 분석의 진행 방식입니다.
혁신적 결함 문제에서 측정 결과로 닫은 건 원인을 확인한 방식이 수치 비교였다는 경험이었습니다. 접촉 저항 이상의 원인이 패턴 기하학 구조에 있다는 가설을 세운 뒤, 문제 구간과 정상 구간의 전류 밀도 분포를 시뮬레이션으로 비교했습니다.
문제 구간에서 전류 밀도가 집중되는 패턴이 나왔고, 그 값이 정상 구간의 수배 수준이었습니다. 수치로 가설을 지지하는 결과가 나왔을 때 원인으로 결론 지을 수 있었습니다. 가설은 수치로 확인됐을 때 원인이 된다는 결이 생겼습니다.
이후에는 결함 분석에서 원인 후보를 제시할 때 어떤 수치가 이를 지지하는지를 함께 확인하는 방식이 자리 잡았습니다.
답변에서 흔히 빠지는 것들 — 빠져 있으면 꼬리질문이 깊어집니다.
이 질문에 이어 삼성전자 반도체 평가·분석 면접관이 던질 가능성이 높은 후속 질문.
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