웨이퍼맵 패턴 분석을 통한 수율 저하 원인 규명
학부 연구실 프로젝트에서 웨이퍼맵 상 특정 가장자리 영역에서 불량이 집중되는 패턴을 발견한 경험이 있습니다. 저는 이 패턴이 공정 균일도 문제일 가능성이 크다고 판단해 해당 영역의 두께 데이터를 추가로 측정했고, 실제로 가장자리 두께 편차가 중심부보다 15퍼센트 컸다는 걸 확인했습니다. 이 경험으로 수율 데이터는 위치 정보와 함께 봐야 원인을 찾을 수 있다는 걸 배웠습니다.
면접관이 이 한 문장으로 확인하려는 것들. 각 갈래를 알면 답의 뼈대가 잡혀요.
학부 연구실 프로젝트에서 웨이퍼맵 상 특정 가장자리 영역에서 불량이 집중되는 패턴을 발견한 경험이 있습니다. 저는 이 패턴이 공정 균일도 문제일 가능성이 크다고 판단해 해당 영역의 두께 데이터를 추가로 측정했고, 실제로 가장자리 두께 편차가 중심부보다 15퍼센트 컸다는 걸 확인했습니다. 이 경험으로 수율 데이터는 위치 정보와 함께 봐야 원인을 찾을 수 있다는 걸 배웠습니다.
졸업논문 실험에서 제작한 소자의 문턱전압이 예상보다 높게 나온 문제를 겪었습니다. 저는 게이트 산화막 두께와 문턱전압의 관계식을 바탕으로 산화막이 설계보다 두껍게 형성됐을 가능성을 의심했고, 단면 측정으로 이를 확인했습니다. 물리학 지식이 없었다면 이 원인을 추정하기 어려웠을 것이라 생각합니다.
캡스톤 프로젝트에서 소자의 누설 전류가 목표치를 초과하는 문제를 겪었을 때, 저는 가능한 원인을 계면 결함, 도핑 농도, 공정 오염 세 가지로 나누고 각각을 순서대로 검증했습니다. 결국 도핑 농도 조정으로 문제를 해결했고, 이 경험으로 여러 원인이 얽힌 문제일수록 가설을 나눠 순서대로 검증하는 게 효율적이라는 걸 배웠습니다.
같은 실수가 반복돼요. 이것만 피해도 절반은 갑니다.
진짜 면접은 두 번째 질문부터예요. 이 답 뒤에 따라올 법한 것들.