Wafer 표면 오염을 분석하는 기법에는 어떤 것들이 있고, 각 기법의 검출 한계와 특징은 무엇인지 설명해주세요.

기법 이름을 나열하기보다, 왜 여러 개인지로 말씀드리고 싶습니다. 표면 오염은 어떤 종류의 오염을, 얼마나 작은 양까지, 어디서 보느냐가 다 다르기 때문에 한 기법으로 다 못 잡습니다. 그래서 기법은 그 셋을 어떻게 잡느냐로 갈립니다. 어떤 기법은 표면에 어떤 원소가 얼마나 있는지를 넓게 훑어 보는 데 강하고, 어떤 기법은 아주 미량의 금속 오염을 극도로 낮은 농도까지 잡아내는 데 강합니다. 또 어떤 기법은 눈에 보이는 입자나 결함의 위치와 형태를 보는 데 강합니다. 즉 선택의 기준은 찾으려는 게 원소 분포인지, 미량 금속인지, 입자 형태인지입니다. 검출 한계도 그래서 다릅니다. 넓게 보는 기법은 미량까지는 못 내려가고, 미량에 강한 기법은 대신 위치 정보가 약합니다. 그래서 어느 하나가 가장 좋다기보다 목적에 맞춰 고르거나 여러 기법을 같이 씁니다. 다만 세부 검출 한계 수치는 장비·조건마다 달라 단정하긴 어렵다는 한계는 둡니다. 핵심은, 명칭 나열이 아니라 무엇을 얼마나 작게 잡느냐로 기법이 갈린다는 걸 짚는다는 점입니다.