GAA(Gate-All-Around) 구조가 FinFET 대비 가지는 장점과 공정상 도전 과제를 설명해주세요.

두 구조의 핵심 차이는 전극이 전류 통로를 얼마나 둘러싸느냐에 있다고 이해하고 있습니다. 핀 형태 구조는 통로를 세 면에서 감싸는 방식이고, 사방을 두른 구조는 통로를 완전히 둘러싸는 방식입니다. 둘러싸는 면이 늘수록 전극의 제어력이 강해져, 통로가 더 짧아져도 새는 전류를 더 잘 막습니다. 그래서 더 미세하게 가면서도 동작이 안정적이라는 게 핵심 장점입니다. 다만 장점만 보지 않습니다.

통로를 완전히 감싸려면, 통로 아래까지 전극 재료를 채워 넣어야 하는데 그 구조를 만드는 게 훨씬 까다롭습니다. 얇은 통로를 여러 겹 쌓고 그 사이를 정밀하게 채우는 공정이라, 변형·결함 관리가 어렵고 비용도 큽니다. 즉 제어력 이득과 공정 난도가 한 묶음입니다. 신구조가 늘 낫다기보다, 그 난도를 양산 수율이 나올 만큼 잡을 수 있느냐로 갈린다고 봅니다. 핵심은, 감싸는 면적 차이에서 장점과 공정 부담을 함께 끌어낸다는 점입니다.